
当社は、先進のパワー半導体とその関連製品の開発、設計、製造を通して、
最適なソリューションを提供し、お客様のニーズに合った質の高い製品を
マーケットに供給しています。
〜 Connect to a better future 〜
当社は、先進のパワー半導体とその関連製品の開発、設計、製造を通して、
最適なソリューションを提供し、お客様のニーズに合った質の高い製品を
マーケットに供給しています。
デバイス技術とモジュール技術で
家電から自動車まで
多彩に展開しています
青い丸をクリックすると
サンケン製品が使われているところが表示されます
車載・産機向け3相モータドライバIPM担当
パワーモジュール開発統括部 Tさん
電気自動車の普及が進む中、モジュール製品であるSAM2を採用することで部品点数の削減に貢献。コンプレッサ全体のサイズ縮小を通じて、車体の軽量化や燃費の向上へつなげています。
また、インバータ化による繊細な空気制御が可能となり、電力消費の抑制が「エコ・省エネ、高効率化」につながっています。
SAM2シリーズの中でも担当製品の量産が近づき、自身の部署はもちろん関係部署もより一層忙しくなってきました。他のシリーズ品も順次流動化していく計画のため、しばらくは気が抜けない状況です。オフタイムでは、果実酒づくりを趣味にしており、今年は何の果実を漬けようか思案しています。先々は、瓶を増やして種類を充実させたいと思います。
デジタルパワーマネジメントIC担当
パワーデバイス開発統括部 Oさん
デバイスに搭載される制御プログラムを担当しています。プログラムを最適化することで、一般的なアナログ制御に比較し、高効率かつ高機能な電源システムを実現するIC製品を開発しています。また、周辺部品を取り込むことで部品点数の削減、システムの小型化による省資源化につながり、自身の仕事がSDGsにも貢献していると考えます。
本社では、ものづくり開発センター棟が稼働し、実験室も新しくなり快適に検証が出来るようになりました。コロナ禍の自粛もしばらく続くと思われますが、落ち着きが見られたら、趣味のバイクで遠乗りに出かけたいと思います。
海外技術拠点でのプロセスデザイン
製品の開発 Lさん
APTC※のプロセスデザインチームにて、Si C※基板のMOSFETおよびSBD※の特性シミュレーション、デザイン設計並びに測定を通じた特性評価をしています。
私たちが使用するすべての電子製品は電力を消費します。電力の伝送および変換時に損失を減らし、高電圧・大電流・高周波数にて使う半導体をパワー半導体と言います。SiCはSiに比べて高温・高電圧特性が優れており、これは、パワー半導体分野で最も必要とされるメリットでもあります。
このパワー半導体を使う事で、電力を得る過程において必要なエネルギーの損失を減らす事ができます。また、EV部品をSiC半導体に代替すれば、冷却システムの簡素化および電力消費量の減少とともに効率的なエネルギー使用が可能になるため、環境問題や公害問題の解決に大きく役立ちます。
※APTC:アドバンスド パワーデバイス テクノロジーズ(株)
※SiC:シリコン(Si)と炭素(C)で構成される化合物半導体材料
※SBD:ショットキーバリアダイオードの略
SIM689xMシリーズ開発
製品の開発 Yさん
私の担当はIPMの一つであるSIM689xMシリーズの開発。主に白物家電(冷蔵庫、洗濯機、エアコン等)のファン、コンプレッサ駆動用モータドライバに使用されています。
納入先は国内のほか、中国、韓国、インドなどアジアを中心に展開しており、特徴としては、従来品にも増して保護機能を強化し、市場からも大変好評をいただいています。
白物家電業界からのニーズが高い温度モニタ機能をMICに搭載し、製品の性能アップを実現しています。
SIM689xMシリーズは幅広いラインアップを展開しており、出力素子にSJ-MOS※やFS-IGBT※を搭載した製品もあり、従来品よりもさらに低損失化する事が可能です。これら製品の普及を通じて、自身の開発が日本はもとより、世界各地で「エコ・高効率化」に貢献していると実感しています。
※SJ-MOS:スーパージャンクション構造のMOSFET
※FS-IGBT:フィールドストップ構造のIGBT
化合物半導体SiC/SBD開発
製品の開発 Mさん
私たちの部署は、スイッチング電源の力率改善回路(PFC)用途へ、電力損失の低減を目的とし、SiC-SBDを開発しています。
PFCは、シリコンFRD※を高速スイッチングさせる事で動作しますが、FRDがオフした際に流れるリカバリー電流で電力損失が発生します。そのため、リカバリー電流を抑えられるシリコンSBDを使えば改善しますが、FRDほどの耐圧を出せない問題があります。そこで、シリコンよりも絶縁破壊強度が高いSiCをSBDに適用する事で、高耐圧化とリカバリー電流低減を可能とし、低損失に繋がります。
ただ、SiCは上記のようなメリットを持つ反面、サージ電流耐性が低いデメリットもありますが、チップ構造を変える事で改善を図りました。これにより、異常動作によるサージ電流が発生しても回路は壊れず、ロバスト性に優れた機器の製造を可能にします。このように、低損失な製品を開発する事でSDGsに貢献したいと思います。
※FRD:ファーストリカバリーダイオードの略
SAM2パッケージを使ったIPM開発
IPM開発 Nさん
SAM2パッケージを使ったIPM(インテリジェント・パワー・モジュール)の開発において海外協業パートナー企業との共同プロジェクトをマネジメントするのが主業務です。
開発している製品は、拡大するxEV市場および産機市場において技術革新の基盤となるモータ制御をターゲットアプリケーションとしています。
海外の協業パートナーと協議していく事で、世界的な環境課題の解決やCO2削減目標に対するアクションも取り込んでいけると考えています。
海外でのxEV動向も追っており、特に欧州での環境対応規制は厳しい事から、要求に応えていけるように開発を進めています。同時に、当社の環境対応力を高める事へ繋げられると考えています。